STM32F429BIT6 Điện tử

STM32F429BIT6 Electronics thuộc dòng nâng cao hiệu suất cao, lõi Arm Cortex-M4 với DSP và FPU, 2 Mbyte bộ nhớ Flash, CPU 180 MHz, Bộ tăng tốc ART, Bộ tăng tốc Chrom-ART, FMC với SDRAM, TFT.

Thiết bị STM32F429BIT6 dựa trên Arm & reg; Cortex & reg; -M4 Lõi 32-bit RISC hoạt động ở tần số lên đến 180 MHz. Lõi Cortex-M4 có độ chính xác đơn đơn vị Dấu chấm động (FPU) hỗ trợ tất cả các Arm & reg; hướng dẫn xử lý dữ liệu đơn chính xác và kiểu dữ liệu. Nó cũng thực hiện một tập hợp đầy đủ các hướng dẫn DSP và một đơn vị bảo vệ bộ nhớ (MPU) giúp tăng cường bảo mật ứng dụng.

Mô tả Sản phẩm

Các thiết bị STM32F429BIT6 tích hợp bộ nhớ nhúng tốc độ cao (bộ nhớ Flash lên đến 2 Mbyte, lên đến 256 Kbyte SRAM), lên đến 4 Kbyte SRAM dự phòng và một loạt các I / Os nâng cao và các thiết bị ngoại vi được kết nối với hai bus APB, hai bus AHB và ma trận bus đa AHB 32 bit.

Tất cả các thiết bị đều cung cấp ba bộ định thời 12 bit ADC, hai bộ DAC, một RTC công suất thấp, mười hai bộ định thời 16 bit mục đích chung bao gồm hai bộ định thời PWM để điều khiển động cơ, hai bộ định thời 32 bit mục đích chung. Chúng cũng có các giao diện giao tiếp tiêu chuẩn và tiên tiến.

Tính năng sản phẩm

2.1 Đặc điểm sản phẩm chính
Cốt lõi: Cánh tay & reg; CPU 32-bit Cortex & reg; -M4 với FPU, Bộ tăng tốc thời gian thực thích ứng (ART Acceleratorâ ¢) cho phép thực thi trạng thái chờ 0 từ bộ nhớ Flash, tần số lên đến 180 MHz, MPU, 225 DMIPS / 1,25 DMIPS / MHz (Dhrystone 2.1 ) và hướng dẫn DSP
Bộ nhớ - Bộ nhớ Flash lên đến 2 MB được tổ chức thành hai ngân hàng cho phép đọc-trong khi-ghi - Bộ nhớ SRAM lên đến 256 + 4 KB bao gồm RAM dữ liệu CCM (bộ nhớ ghép đôi) 64-KB - Bộ nhớ ngoài linh hoạt bộ điều khiển bộ nhớ với bus dữ liệu lên đến 32 bit: SRAM, PSRAM, SDRAM / LPSDR SDRAM, bộ nhớ Compact Flash / NOR / NAND
Giao diện song song LCD, chế độ 8080/6800
Bộ điều khiển LCD-TFT với độ phân giải hoàn toàn có thể lập trình được (tổng chiều rộng lên đến 4096 pixel, tổng chiều cao lên đến 2048 dòng và xung nhịp điểm ảnh lên đến 83 MHz)